Anlagen für die Nassätzung, Ätzung, nassätzen, ätzen und Reinigung, reinigen von Halbleiter bzw. Silicium Wafer.
	Crystec Technology Trading GmbH Anlagen für die Halbleiter- und Solar-Industrie
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Nassätzung

Die nasse Ätzung, das nasse Ätzen bzw. die Reinigung von Wafern aus Silizium oder anderen Halbleitern wird durch Tauch-, Sprüh- und Aufspinntechniken durchgeführt und stellt eine alternative zur Plasmaätzung bzw. zum trockenen Ätzen oder Trockenätzen dar. Sie kann für die Ätzung von Oxid, Nitrid, Silicium sowie anderer Schichten oder auch für die Entfernung von Fotolack eingesetzt werden. Beim Tauchverfahren werden die Wafer in einer Kassette in ein Tauchbad gegeben und dort bewegt, um einen Materialaustausch in Oberflächennähe zu garantieren. Manchmal wird das Ätzen durch einen Ultraschallkopf (Megasonic-Verfahren) verstärkt. Sprühverfahren ermöglichen ebenso wie die Aufspinnverfahren einen ständigen Austausch der Ätzlösung und wirken damit sehr effektiv und gleichmäßig. Die Ätzlösung kann zirkuliert werden, um den Materialverbrauch zu senken. Beim Aufspinnverfahren sind höhere Flussraten und damit auch höhere Ätzgeschwindigkeiten möglich - die Ätztechnik ist etwas aufwendiger.
Das nasse Ätzen ist günstig und kann leicht für die Massenfertigung eingesetzt werden. Ätzgeschwindigkeit und Selektivität der Nassätzung ist gewöhnlich hoch, allerdings wirkt die Ätzung oft isotrop, also nicht gerichtet. Eine Automatisierung der Prozess ist ohne Probleme möglich.
Die Wafer werden zunächst sauer oder alkalisch geätzt, dann mit entionisiertem Wasser gespült und zuletzt getrocknet. Für die Trocknung kommen mehrere Verfahren in Frage: Verdrängung der Feuchtigkeit mit Lösungsmittel, Abschleudern, Abblasen, Aufheizung bzw. einer Kombination dieser Verfahren. Beliebt ist die Marangoni-Trockung, die auf dem Austausch des Wassers durch Isopropanol und Abblasen mit heissem Stickstoff besteht. Diese Seite gibt einen Überblick und Vergleich über die verfügbaren Anlagen und Verfahren.

Anlagen für die Nassätzung und Reinigung von Halbleiterwafern.

Für das Ätzen von Halbleiterschichten, das Reinigen von Halbleiterwafern oder das Entfernen (Ablösen, Strippen) von Fotolack können verschiedene Anlagen eingesetzt werden. Man unterscheidet Anlagen mit hohem Durchsatz, in denen die Wafer kasettenweise prozessiert werden, und präziseren, aber langsameren Anlagen zur Einzelbehandlung von Wafern. Es können sowohl Tauchätzung wie auch Sprühätzung oder Strahlätzung angeboten werden. Der Ätz- bzw. Reinigungseffekt kann durch mechanische Reinigung wie Bürsten unterstützt werden. Zum Anlagenspektrum gehören natürlich auch Systeme zum Trocknen der Wafer, die integriert oder als Einzelanlagen angeboten werden können.

Verschiedene Zeus/Jet Nassätzanlagen

Einzelwaferanlagen können mehrere Prozesskammern beinhalten, die über einen Roboter aus Kasettenstationen beladen werden. Tauchätzanlagen die Wafer losweise prozessieren, können mit automatischem Transport von Ätzbad zu Ätzbad ausgerüstet werden und dann wirklich hohe Durchsätze erreichen.

      
Konfigurationsbeispiele für Zeus Nassätzanlagen

Nassätzung von Czochralski-Siliziumkristallen und polykristallinen Siliciumblöcken für die Halbleiter- und Solarwaferherstellung.

Die Anlagen von können für die Ätzung von Czochralski-Kristallen oder auch von gegossenen Siliciumblöcken für die Solarzellenherstellung eingesetzt werden. Die Ätzung dient der Reduktion metallischer Kontamination und kann vollautomatisch durchgeführt werden.

Wir konzipieren gerne eine Anlage für Sie, die Ihren Vorstellungen entspricht.

Crystec Technology Trading GmbH diskutiert mit Ihnen gerne weitere Details.
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