Anlagen für die Nassätzung und Reinigung von Halbleiterwafern.
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Nassätzung.

Die nasse Ätzung bzw. Reinigung von Wafern aus Silizium oder anderen Halbleitern wird durch Tauch-, Sprüh- und Aufspinntechniken durchgeführt und stellt eine alternative zur Plasmaätzung dar. Sie kann für die Ätzung von Oxid, Nitrid, Silicium sowie anderer Schichten oder auch für die Entfernung von Fotolack eingesetzt werden. Beim Tauchverfahren werden die Wafer in einer Kassette in ein Tauchbad gegeben und dort bewegt, um einen Materialaustausch in Oberflächennähe zu garantieren. Manchmal wird die Ätzung durch einen Ultraschallkopf (Megasonic-Verfahren) verstärkt. Sprühverfahren ermöglichen ebenso wie die Aufspinnverfahren einen ständigen Austausch der Ätzlösung und wirken damit sehr effektiv und gleichmäßig. Die Ätzlösung kann zirkuliert werden, um den Materialverbrauch zu senken. Beim Aufspinnverfahren sind höhere Flussraten und damit auch höhere Ätzgeschwindigkeiten möglich - die Ätztechnik ist etwas aufwendiger.
Die Nassätzung ist günstig und kann leicht für die Massenfertigung eingesetzt werden. Ätzgeschwindigkeit und Selektivität der Nassätzung ist gewöhnlich hoch, allerdings wirkt die Ätzung oft isotrop, also nicht gerichtet. Eine Automatisierung der Prozess ist ohne Probleme möglich.
Die Wafer werden zunächst sauer oder alkalisch geätzt, dann mit entionisiertem Wasser gespült und zuletzt getrocknet. Für die Trocknung kommen mehrere Verfahren in Frage: Verdrängung der Feuchtigkeit mit Lösungsmittel, Abschleudern, Abblasen, Aufheizung bzw. einer Kombination dieser Verfahren. Beliebt ist die Marangoni-Trockung, die auf dem Austausch des Wassers durch Isopropanol und Abblasen mit heissem Stickstoff besteht. Diese Seite gibt einen Überblick und Vergleich über die verfügbaren Anlagen und Verfahren.

Zeus und JET

Die Firma Global Zeus in Korea ist eine Firma der JW-Gruppe und produziert neben Anlagen für die Herstellung von Solarzellen und Flachbildschirmen in Zusammenarbeit mit der Fa. JET auch Nassätzanlagen für die Halbleiterfertigung. Die Fa. JET ist aus den Firmen SES bzw. KSES entstanden, an denen Global Zeus größere Anteile besitzt.

Anlagen für die Nassätzung und Reinigung von Halbleiterwafern.

Für die Ätzung von Halbleiterschichten, die Reinigung von Halbleiterwafern oder die Entfernung von Fotolack können verschiedene Anlagen eingesetzt werden. Man unterscheidet Anlagen mit hohem Durchsatz, in denen die Wafer kasettenweise prozessiert werden, und präziseren, aber langsameren Anlagen zur Einzelbehandlung von Wafern. Es können sowohl Tauchätzung wie auch Sprühätzung oder Strahlätzung angeboten werden. Der Ätz- bzw. Reinigungseffekt kann durch mechanische Reinigung wie Bürsten unterstützt werden. Zum Anlagenspektrum gehören natürlich auch Systeme zum Trocknen der Wafer, die integriert oder als Einzelanlagen angeboten werden können.

Einzelwaferanlagen können mehrere Prozesskammern beinhalten, die über einen Roboter aus Kasettenstationen beladen werden. Tauchätzanlagen die Wafer losweise prozessieren, können mit automatischem Transport von Ätzbad zu Ätzbad ausgerüstet werden und dann wirklich hohe Durchsätze erreichen.

      

Nassätzung von Czochralski-Siliziumkristallen und polykristallinen Siliciumblöcken für die Halbleiter- und Solarwaferherstellung.

Die Anlagen von Zeus bzw. JET können für die Ätzung von Czochralski-Kristallen oder auch von gegossenen Siliciumblöcken für die Solarzellenherstellung eingesetzt werden. Die Ätzung dient der Reduktion metallischer Kontamination und kann vollautomatisch durchgeführt werden.

Wir konzipieren gerne eine Anlage für Sie, die Ihren Vorstellungen entspricht.

Crystec Technology Trading GmbH diskutiert mit Ihnen gerne weitere Details.
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