Für den Aufbau integrierter Schaltkreise ist es nötig zahlreiche Schichten zu strukturieren. Dies kann mit in wässriger Lösung, also nass mit einem Nassätzer oder trocken mit einem Plasmaätzer oder Trockenätzer erfolgen. Das Plasma-Ätzen von Dielektrika, Halbleitern und Metallen ist heutzutage der Stand der Technik. Vor der Ätzung wird ein Fotolack auf der Oberfläche abgeschieden, durch eine Maske belichtet und entwickelt. Dann wird die Trockenätzung durchgeführt und so eine strukturierte Ätzung erhalten. Nach Beendigung des Ätzprozesses muss der verbleibene Photolack wieder entfernt werden. Das wird auch in einem speziellem Plasmaätzer durchgeführt, dem sogenannten Verascher.

Für den Ätzprozess wird ein reaktives Gas bei Unterdruck durch hochfrequente elektromagnetische Strahlung von 13,56 MHz angeregt, wobei es zur Bildung von reaktiven Ionen und Radikalen kommt. Wenn die Ionen auf die Probe beschleunigt werden kommt es zur anisotropen Ätzung während die Reaktion von Radikalen mit dem Oberflächenmaterial zur isotropen Ätzung führt.

Für die Plasmaätzung von Silicium, Dielektrika und Metallen wird meist Chlor- und Fluorchemie eingesetzt. Sauerstoff findet Verwendung für die Ätzung von Polymeren. Für das Ätzen von Verbindungshalbleitern wie GaAs oder AlGaAs wir auch häufig Chlorchemie verwendet. Insbesondere für Indium-haltige Verbindungshalbleiter kommt auch Methan CH₄ zum Einsatz.

Die Trockenätzung ermöglicht eine reproduzierbare, gleichmäßige Abtragung von allen Materialien die in der Silicium und III-V-Halbleitertechnologie Verwendung finden.

Polyimid. Es gibt heutzutage viele verschiedene Arten von Polyimid auf dem Markt. Sie haben unterschiedliche Aushärteeigenschaften, Feststoffgehalte, etc. Alle Arten sind jedoch Kohlenwasserstoffe und lassen sich gut mit Sauerstoffplasma ätzen. Die chemische Reaktion ist eine einfache Oxidation der organischen Verbindungen unter Bildung von CO und Wasser. Sehr wichtig bei der Entfernung von Polyimid ist die Temperaturkontrolle und die Vermeidung von Überhitzung, bei der es zur Verkohlung kommen kann. Es verbleiben dann grasartige Rückstände die sich nicht mehr entfernen lassen. Möglichst niedriger Ionenbeschuss und niedrige Plasmaenergie sowie eine "Spülung" der Probe mit Plasma oder aber auch der Einsatz eines Hybridreaktors helfen solche Probleme zu vermeiden.

Siliciumnitrid. Aus Siliciumnitrid wird üblicherweise die letzte Passivierungsschicht eines IC gefertigt. Es läßt sich gut mit Plasma ätzen, in dem viel freies Fluor vorliegt (wie beispielsweise als SF₆/O₂ oder als CF₄/O₂. Der Einsatz von SF₆ führt normalerweise zu einer relativ isotropen Ätzung. Dies kann für die Ätzung von Siliciumnitrid ein Vorteil sein, da Seitenwände in der Umgebung von Metallen entfernt werden. Während des Prozesses werden SiF₄, SF₂ und Stickstoff gebildet.

Siliciumdioxid. Verschiedene Arten von Siliciumdioxid werden heute verwendet. Sie werden alle mit der gleichen Chemie unter Verwendung von CF₄ geätzt, wobei jedoch die Rezepte und Ätzraten variiert werden. Typischerweise läßt sich hochdotiertes Oxid schneller und kohlenstoffhaltiges Material schlechter ätzen. Während des Prozesses werden SiF₄ und CO gebildet. Die Ätzung von Siliciumdioxid ist eigentlich immer anisotrop aufgrund der Tatsache, dass die starke chemische Bindungen zwischen Silicium und Sauerstoff nur durch Ionenbeschuss gebrochen werden kann.

Aluminium (und andere Metalle). Das reine Aluminium selbst läßt sich gut mit Cl₂ Plasma ätzen. Jedoch ist Aluminium immer von einer dünnen Oxidschicht bedeckt, die von reinem Cl₂ nicht angegrifffen wird. Um dennoch eine gute Ätzung zu erhalten fügt man dem Gas etwas BCl₃ hinzu, wodurch die Oberfläche leicht gesputtert und damit die dünne Oxidschicht leichter entfernt wird. Bei der Ätzung von Aluminium ist insbesondere eine Kontamination mit Wasser zu vermeiden. Aus diesem Grund und zum Schutz der Gesundheit des Bedienpersonals wird für diesen Prozess eine Beladeschleuse empfohlen.

Silicium. Poly-Silicium aber auch monokristallines Silicium können anisotrop und isotrop mit Chlorgas oder mit Fluorchemie geätzt werden. Die Ätzung ist sehr selektiv gegenüber Oxid. Während der Ätzung entstehen flüchtige Siliciumhalogenide.

Verbindungshalbleiter. Für Verbindungshalbleiter wie GaAs oder AlGaAs werden häufig einfaches Cl₂, manchmal auch gemischt mit Argon genutzt. In einigen Fällen wird BCl₃ hinzugefügt um den Anisotropiegrad der Ätzung zu erhöhen. Auch SiCl₄ kann für die Ätzung solcher Materialien eingesetzt werden. Dabei werden stets die flüchtigen Chloride wie GaCl₃ oder AlCl₃ oder AsCl₃ gebildet.

Indium-haltige Verbindungshalbleiter Da Indiumhalogenide nicht sehr gut flüchtig sind wird für diese Verbindungen gerne Methan als Ätzgas genutzt, wobei sich flüchtiges Trimethylindium bildet. Diese Reaktion findet auch mit anderen III-V-Materialien statt. Ein Problem dabei ist allerdings die Bildung von Polymeren auf der Waferoberfläche. Das Problem kann durch die Beimischung von Wasserstoff vermieden oder reduziert werden. Auch der Zusatz von Argon kann bei der Verzögerung von Polymerabscheidungen hilfreich sein.

Zentrale Vakuumbeladung - Für eine sichere und kontaminationsfreie Verarbeitung müssen die zu verarbeitenden Wafer von der Umgebungsluft isoliert werden. Der Beladeroboter für alle Prozessmodule ist in einer zentralen, evakuierbaren Kammer montiert, an die wiederum die eigentlichen Beladeschleusen für Einzelwafer oder für Kassetten angedockt sind. Die einzelnen Prozesskammern sind durch gasdichte Türen vom Zentralhandler getrennt. Das zentrale Vakuumbeladesystem (CVT) ist mit einem Direktantrieb-Roboter ausgestattet, der Wafer anheben und absetzen kann. An jedes Zentralbeladungssystem können bis zu vier Reaktionskammern und bis zu zwei Vakuumkassettenheber angeschlossen werden.

Manuelle Schleuse - Die manuelle Schleuse ermöglicht das Laden von einzelnen Wafern für F&E oder zu Testzwecken.

Vakuumkassettenlift - Der Vakuumkassettenlift (VCE) ermöglicht den Betrieb mit hohen Durchsätzen von Kassette zu Kassette. Eine volle Kassette wird in den Kassettenlift gestellt und dieser dann evakuiert. Zur Entnahme von Einzelwafern durch den Roboter wird die Kassettenposition auf die richtige Entnahmehöhe gefahren (Liftfunktion). Es können bis zu zwei Vakuumliftsysteme und zusätzlich ein manuelles Bealadesystem an den Zentralhandler angeschlossen werden.

Touch Screen Bedienungsdisplay - Ein Farbflachbildschirm mit berührungsempfindlicher Oberfläche bietet dem Benutzer jederzeit Zugang zu allen Prozessinformationen. Die Softwareoberfläche führt den Benutzer in einer logischen Art und Weise durch jeden Abschnitt und ermöglicht Kontrolle über alle Prozessbedingungen.

Wechselstromverteiler - Der Wechselstromverteiler versorgt die verschiedenen integrierten Komponenten automatisch mit der notwendigen Spannung. Wenn der Not-Aus-Schalter gedrückt wird, wird die HF Spannung abgeschaltet und alle Ventile, die für die Gaszuführung eingesetzt werden, werden automatisch geschlossen - die Maschine geht automatisch in einen sicheren Standby-Modus. Zentralhandler und Peripheriegeräte werden separat mit Elektrizität versorgt.

Reaktor - Die Kathode und die Anode werden beide aus vollen Aluminiumblöcken hergestellt. Nach einer sorgfältigen Inspektion werden sie zum Schutz vor Prozesschemikalien eloxiert. Die untere Elektrode ist in 200mm- oder 300mm-Größe erhältlich und kann Wafer mit bis zu 200mm oder 300mm Durchmesser bearbeiten. Die Prozessgase werden entweder durch einen kranzförmigen Ring oder über einen Duschkopf in die Kammer eingebracht.

Automatische Steuerelektronik - Die einzigartige Elektronik ist als fester Bestandteil in die untere Elektrode eingebaut um eine genaue Abstimmung, geringen Übermittlungsverlust und extrem geringe Hochfrequenz (HF) Strahlung außerhalb der Elektronik selbst sicher zu stellen. Die Elektronik verwendet ein Phasenamplitudenmessgerät und einen Verstärker um eine schnelle Rückkopplung zu liefern und eine schnelle und präzise Abstimmung der Anlage zu ermöglichen.

RF Generator - Das System wird standardmäßig mit einem 600 Watt, 13.56 MHz Festkörper RF Generator geliefert.

PC Prozesssteuerung - Die PC-Prozesssteuerung ermöglicht eine einfache und sichere Systemsteuerung. Die Grafiksoftware erstellt Programme in der Blockschaltbildform. Rezepte zur Festlegung des Prozessablaufes werden auf der Festplatte gespeichert oder können auf einem USB Speicher gespeichert werden um jedem Benutzer individuelle Rezepte zu ermöglichen.

Automatischer Druckregler - Jedes Trionsystem enthält ein Butterfly-Ventil zur Druckregelung, das direkt vom Prozessregler gesteuert wird. Dies sorgt für eine Druckregelung, die unabhängig von allen anderen Prozessparametern ist.

Gaszuführsystem - Modernste Technik wird eingesetzt, um jegliche Kontamination zu vermeiden und höchste Reinheit sicherzustellen. Jede Reaktionskammer besitzt bis zu acht Massendurchflussregler, für alle Rohrleitungen wird die Surface Mount Technologie und C-Seal Technologie eingesetzt oder es werden ringförmig verschweißte VCR Fassungen verwendet.

Sicherheit - Das System erfüllt alle SEMI S2-93 Sicherheitsanforderungen. Eine Sicherheitsübrprüfung durch Dritte ist auf Anfrage möglich.

Anlagen - Anlagenschaltbilder können auf Anfrage bereitgestellt werden.

Gaskabinett - Trion liefert für die Oracle-Anlage ein separates Gaskabinett mit selbstschließenden Türen in dem computergesteuerte Prozessgasleitungen und Spülgasleitungen für korrosive und giftige Gase installiert sind. Wenn die Plasmaanlage in den Standby Modus geht, werden automatische alle kritischen Gasleitungen mit Stickstoff gespült. Dadurch wird die Lebensdauer von MFCs, Regeleinheiten, Ventilen und Rohrleitungen erhöht. Ebenfalls integriert sind automatisch schließende Flaschenventile und Gasflaschenhalterungen.

Pumpsysteme - Jede Reaktionskammer benötigt eine eigene Pumpe. Trion kann diese ihren Ansprüchen entsprechend liefern. Es sind mechanische, trockene und Turbopumpen lieferbar. Sie können wählen, ob sie ihre eigene(n) Pumpe(n) bereitstellen wollen oder ob Sie sie direkt bei Trion kaufen wollen. Alle Pumpenvarianten, die von Trion angeboten werden, sind erprobte Systeme, die ausgewählt wurden um Ihre spezifischen Prozessanforderungen  bestmöglichst zu erfüllen.

Temperatursteuerung - Ein Kühlkreislauf mit externem Kühler oder Heizer/Kühler wird empfohlen. Durch die Steuerung der Reaktortemperatur (über die untere Elektrode) wird die Reproduzierbarkeit des Prozesses enorm verbessert und Ätznebenprodukte verflüchtigen sich leichter.

Endpunktmesssystem - Trion bietet sowohl optische als auch Laser-Endpunktmessgeräte an, die es dem Benutzer ermöglichen die Veränderung der Dicke des Films in situ und während des Ätzprozesses zu messen. Diese Systeme sind in die Anlagensoftware integriert und werden von dieser gesteuert.

Induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) - Das von Trion verfügbare, integrierte ICP ist eine bewährte Variante für Anwendungen, die ein Downstream-Plasma erfordern. Es reduziert den Strahlungsschaden und die Kontamination durch Sputterwirkung des RIE-Plasmas enorm und steigert die Selektivität beim Ätzen unterschiedlicher Filme deutlich. Durch ICP sind höhere Plasmadichten möglich, da die Energie induktiv durch das Magnetfeld in das Plasma eingekoppelt wird. Dies ermöglicht Prozesse bei niedrigerem Druck, was einige maßgebliche Vorteile mit sich bringt. Es ermöglicht eine stark anisotrope Ätzung bei Strukturen mit großem Seitenverhältnis und reduziert den Microloading Effekt.Trions ICP Quelle ermöglicht verbesserte Ätzraten, Profilsteuerung, Gleichmäßigkeit und Selektivität mit dramatischer Reduzierung des RIE Strahlungsschadens. Die Phantom III ICP Anlage wird mit einem 600 oder 1250 Watt 13,56 MHz Netzteil sowie einer automatischen Anpassung geliefert. (Die Phantom LT ICP Anlage wird mit einerm 600 Watt Netzteil geliefert.)

Elektrostatischer Probenhalter - Es ist oft entscheidend, dass die Substrattemperatur während des Ätzens niedrig gehalten werden kann. Trions elektrostatischer Chuck fixiert den Wafer durch elektrostatische Kräfte sicher während etwas Helium über die Rückseite des Wafers strömt und diesen deutlich abkühlt.