Technologie, Produktion, Herstellung und Anlagen für die SiC Siliziumkarbid Electronic.
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Crystec Technology Trading GmbH
Anlagen für die SiC-Technologie

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Die Herstellung von SiC Siliciumkarbid-Schaltkreisen

Siliciumkarbid ist ein Breitband-Halbleitermaterial mit besonderen Eigenschaften, das den Betrieb bei hohen Temperaturen erlaubt und besonders gut für Leistungshalbleiter geeignet ist. Das schnelle und effiziente Schalten hoher Spannungen und Ströme, hohe Durchbruchspannungen, Stabilität gegen Strahlungseffekte und gute Wärmeleitfähigkeit sind die positiven Eigenschaften von Siliciumkarbid. Nachteile sind der hohe Preis und die nötigen hohen Temperaturen für die Prozessierung.
Die Herstellung von integrierten Schaltkreisen wird unterteilt in den Frontend-Prozesse zur Herstellung der Schaltelektronik und in den Backend-Prozess zur Kontaktierung der Schaltkreise. Strukturierung findet über Lithographie-Prozesse statt. Sie bestehen aus Belackung, Belichtung, Entwicklung, Prozesschritte wie Ätzen oder Schicht-Abscheidung, sowie abschließender Lackentfernung. Wir können für zahlreiche Produktionsschritte zur Herstellung von SiC-Schaltkreisen die passenden Anlagen liefern, sowohl für F&E, wie auch für die Massenproduktion.
Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi
2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.


SiC Transistor-Herstellung

Wie auch bei der Herstellung von Silicium-Schaltkreisen, besteht die Herstellung von SiC-Elektronik aus Lithographie-Prozessen, Ätzschritten und Schichtabscheidungen durch Sputtern oder Bedampfen, sowie Dotier- und Diffusions- bzw. Aktivierungsschritten. Die benötigten Temperaturen liegen allerdings wesentlich höher, im Bereich von 1400°C für die LPCVD-Prozesse zur Abscheidung von Dielektrika-Schichten, Oxynitrid bzw. Oxid aus TEOS, bzw. 1800-2000°C für die Aktivierung von implantierten Dotierstoffen.

Lithographie Pfeil Mask Aligner
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Ätzung Pfeil Plasma-Ätzer
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Ionenimplantation Pfeil auf Anfrage
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Aktivierung Pfeil Hochtemperaturofen 2000°C Koyo Thermo Systems
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Oxynitrierung Pfeil Hochtemperatur-LPCVD-Ofen 1400°C Koyo Thermo Systems
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TEOS-Abscheidung Pfeil LPCVD-Ofen Koyo Thermo Systems

Kontaktierung

Bei der Kontaktierung der Schaltkreise sind ebenfalls Lithographieschritte und Ätzschritte nötig. Zur Kontaktierung werden Metallschichten aufgebracht und mit Drähten kontaktiert. Temperschritte sollten möglichst kurz sein und daher finden RTP-Anlagen hierfür Verwendung.

Lithographie Pfeil Mask Aligner
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Kontaktlöcher Pfeil Plasma-Ätzer
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PDA (post deposition anneal) Tempern Pfeil RTP-Anlage Koyo Thermo Systems
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Rückseitenelektrode Pfeil Bedampf- bzw. Sputteranlage
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Kontakt-Tempern Pfeil RTP-Anlage 1200°C Koyo Thermo Systems
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Verdrahtung Pfeil Bonder Fito

Anlagen-Bilder

Es können sowohl kleine, manuell zu beladende Anlagen für Forschung und Entwicklung angeboten werden, wie auch vollautomatische Maschinen für die Massenproduktion, die von Kasette zu Kasette arbeiten. Wir zeigen hier einige Bilder von Produktionsanlagen.

Mask-Aligner Plasma-Ätzer Elektronenstrahl-Verdampfer Hochtemperaturofen RTP-Anlage
MIDAS Mask-Aligner MA80 SNTEK Plasma-Ätzer SNTEK Metall-Abscheider Koyo Hochtemperaturofen Koyo RTP-Anlage

Wir bieten Ihnen gerne eine für Sie passende Anlage an, evt. auch gebraucht und wir können in den verschiedenen Anwendungszentren unserer Partner auch gerne Tests für Sie fahren. Bitte kontaktieren Sie uns!

Crystec Technology Trading GmbH diskutiert mit Ihnen gerne weitere Details.
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