Descripción Breve
Como en la microelectrónica de silicio, la fabricación de circuitos de carburo de silicio (SiC) se basa en procesos sucesivos de litografía, grabado y deposición de capas. Debido a la alta estabilidad química y térmica del SiC, el equilibrio térmico se desplaza significativamente hacia temperaturas extremas: la deposición de dieléctricos densos y estables (por ejemplo, SiO₂ o SiOxNy a partir de un precursor TEOS) se realiza en reactores LPCVD de alta temperatura a temperaturas de proceso elevadas (≈ 1400 °C) para lograr la densidad y adherencia adecuadas sobre el sustrato de SiC. Para la activación de los dopantes implantados, se requieren temperaturas significativamente más altas: para la activación eléctrica y la eliminación de defectos después de la implantación iónica, se utilizan tratamientos térmicos convencionales o pulsados de alta temperatura en el rango de ≈ 1600–2000 °C. Estas temperaturas son necesarias para reducir los defectos cristalinos y colocar los átomos dopantes en posiciones de red, pero también presentan desafíos técnicos (por ejemplo, sublimación de Si, rugosidad superficial / “step bunching”, redistribución de dopantes) y requieren atmósferas controladas o recubrimientos protectores durante el recocido.
