Thermische Behandlung von SiC Siliziumkarbid in Hochtemperatur-Öfen und RTP-Anlagen.
Koyo Thermo Systems

Koyo Thermo Systems Co., Ltd. wird in Europa vertreten durch:
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Diffusion   Oxidation   H2-Temperung   Polyimid   Kupfer   low-k   polySilicium   Nitrid   TEOS   BPSG   LPSOG   SiC

Die Herstellung von SiC Siliciumkarbid-Schaltkreisen

Siliciumkarbid ist ein Breitband-Halbleitermaterial mit besonderen Eigenschaften, das den Betrieb bei hohen Temperaturen erlaubt und besonders gut für Leistungshalbleiter geeignet ist. Das schnelle und effiziente Schalten hoher Spannungen und Ströme, hohe Durchbruchspannungen, Stabilität gegen Strahlungseffekte und gute Wärmeleitfähigkeit sind die positiven Eigenschaften von Siliciumkarbid. Nachteile sind der hohe Preis und die nötigen hohen Temperaturen für die Prozessierung.
Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi
2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.


Thermische Prozesse in der SiC-Technologie

Wie auch bei der Herstellung von Silicium-Schaltkreisen, werden für die Herstellung von SiC-Elektronik thermische Prozessschritte benötigt, für die

Aktivierung von Dotierstoffen nach Ionenimplantation

thermische Oxidation mit trockenem oder feuchtem Sauerstoff

Abscheidung von LPCVD-Oxid aus TEOS (Tetraethoxysilan)

Abscheidung von Oxynitrid

PDA (post deposition anneal) von abgeschiedenen Metallschichten

kurzzeitigem Tempern von Kontakten

Aktivierung Pfeil Hochtemperaturofen 2000°C
Pfeil
Oxynitrierung Pfeil Hochtemperatur-LPCVD-Ofen 1400°C
Pfeil
TEOS-Abscheidung Pfeil Hochtemperatur-LPCVD-Ofen 1350°C
Pfeil
Thermische Oxidation Pfeil Vertikalofen 1200°C
Pfeil
PDA (post deposition anneal) Tempern Pfeil RTP-Anlage 1100°C
Pfeil
Kontakt-Tempern Pfeil RTP-Anlage 1000°C

Heizer für Koyo-Öfen

Koyo entwickelt und produziert eigene, patentierte Heizelemente mit besonderen Eigenschaften. Nach steigender Temperatur geordnet kann Koyo folgende Heizelemente anbieten:

LGO Heizelement HGC Heizelement MoSi2 Heizelement Karbon-Heizelelement
LGO Heizelement HGC Heizelement MoSi2 Heizelement Karbon-Heizelelement
120°C - 1150°C 400°C - 1250°C bis 1400°C bis 2000°C

Anlagen-Bilder

Es können sowohl kleine, manuell zu beladende Anlagen für Forschung und Entwicklung angeboten werden, wie auch vollautomatische Maschinen für die Massenproduktion, die von Kasette zu Kasette arbeiten. Wir zeigen hier einige Bilder von Produktionsanlagen.

Hochtemperaturofen für SiC F&E Hochtemperaturofen SiC Pilotproduktion Hochtemperaturofen SiC Massenproduktion RTP-Anlage SiC F&E automatische SiC RTP-Anlage
Hochtemperaturofen für SiC F&E Hochtemperaturofen SiC Pilotproduktion Hochtemperaturofen SiC Massenproduktion RTP-Anlage SiC F&E automatische SiC RTP-Anlage

Wir bieten Ihnen gerne eine für Sie passende Anlage an, evt. auch gebraucht und wir können in den verschiedenen Anwendungszentren unserer Partner auch gerne Tests für Sie fahren. Bitte kontaktieren Sie uns!

Crystec Technology Trading GmbH diskutiert mit Ihnen gerne weitere Details.
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