Thermische Behandlung von SiC Siliziumkarbid in Hochtemperatur-Öfen und RTP
JTEKT Thermo Systems wird in Europa vertreten durch
Crystec Technology Trading GmbH
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Die Herstellung von SiC Siliciumkarbid-Schaltkreisen
Siliciumkarbid ist ein Breitband-Halbleitermaterial mit besonderen Eigenschaften, das den Betrieb bei hohen
Temperaturen erlaubt und besonders gut für Leistungshalbleiter geeignet ist. Das schnelle und effiziente Schalten hoher
Spannungen und Ströme, hohe Durchbruchspannungen, Stabilität gegen Strahlungseffekte und gute Wärmeleitfähigkeit sind die positiven Eigenschaften von Siliciumkarbid.
Nachteile sind der hohe Preis und die nötigen hohen Temperaturen für die Prozessierung.
Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung).
Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung
von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es
Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.
Thermische Prozesse in der SiC-Technologie
Wie auch bei der Herstellung von Silicium-Schaltkreisen, werden für die Herstellung von SiC-Elektronik thermische
Prozessschritte benötigt, für die
Aktivierung von Dotierstoffen nach Ionenimplantation
thermische Oxidation mit trockenem oder feuchtem Sauerstoff
Abscheidung von LPCVD-Oxid aus TEOS (Tetraethoxysilan)
Abscheidung von Oxynitrid
PDA (post deposition anneal) von abgeschiedenen Metallschichten
kurzzeitigem Tempern von Kontakten
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| Aktivierung |
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Hochtemperaturofen |
2000°C |
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| Oxynitrierung |
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Hochtemperatur-LPCVD-Ofen |
1400°C |
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| TEOS-Abscheidung |
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Hochtemperatur-LPCVD-Ofen |
1350°C |
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| Thermische Oxidation |
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Vertikalofen |
1200°C |
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| PDA (post deposition anneal) Tempern |
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RTP-Anlage |
1100°C |
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| Kontakt-Tempern |
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RTP-Anlage |
1000°C |
Heizer für JTEKT-Öfen
JTEKT (ehemals Koyo Thermo Systems) entwickelt und produziert eigene, patentierte Heizelemente mit besonderen Eigenschaften.
Nach steigender Temperatur geordnet kann JTEKT folgende Heizelemente anbieten:
- LGO Heizelemente (light gauge overbend) für Temperaturen von 1210°C - 1150°C
- HGC Heizelemente (high gauge coil) für Temperaturen von 400°C - 1250°C
- MoSi2 Heizelelmente (Molybdänsilizid) für Temperaturen bis 1400°C
- Karbon-Heizelemente für hohe Temperaturen (1800°C, 1900°C, 2000°C)
| Heizelemente |
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HGC Heizelement
400°C - 1250 °C |
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MoSi2 Heizelement
bis 1400 °C |
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Karbon-Heizelelement
bis 2000 °C |
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Anlagen-Bilder
Es können sowohl kleine, manuell zu beladende Anlagen für Forschung und Entwicklung angeboten
werden, wie auch vollautomatische Maschinen für die Massenproduktion, die von Kasette zu Kasette arbeiten.
Wir zeigen hier einige Bilder von Produktionsanlagen.
Wir bieten Ihnen gerne eine für Sie passende Anlage an, evt. auch gebraucht und wir können in den
verschiedenen Anwendungszentren unserer Partner auch gerne Tests für Sie fahren.
Bitte kontaktieren Sie uns!
