Traitement thermique de carbure de silicium SiC dans des fours à haute température et des systèmes RTP

Koyo Thermo Systems est représentée en Europe par
Crystec Technology Trading GmbH

La production des circuits intégrés CI de carbure de silicium SiC

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur large bande ayant des propriétés particulières, qui permet un fonctionnement à haute température et est particulièrement adapté pour les semi-conducteurs de puissance. La commutation rapide et efficace de haute tensions et des courants, la tension de claquage élevée, bonne résistivité de rayonnement et une grande conductivité thermique sont les propriétés positives de carbure de silicium. Les inconvénients sont les coûts élevés et de la température élevée, qui sont nécessaires pour le traitement.
Très critique sont les procédés thermiques pour l'activation électrique des dopants de Al, B (p-dopage), N ou P(n-dopage). Les fours qui sont dédiés à la transformation de carbure de silicium doit être capable d'atteindre jusqu'à 2000°C, alors que pour la production des circuits de silicium ou GaAs températures jusqu'à 1200°C sont généralement suffisantes. Seulement récemment, des fours verticaux à l'aide de radiateurs chauffe MoSi
2 ou de graphite sont disponibles sur le marché.


Les procédés thermiques de SiC technologie

Ainsi que dans la production des circuits de silicium, la fabrication des circuits de SiC contient plusieurs étapes de traitement thermique:

L'activation des dopants après implantation ionique

Oxydation thermique avec de l'oxygène sec ou humide

Le dépôt LPCVD d'oxyde de TEOS (tétraéthoxysilane)

Dépôt de oxynitrure

PDA (post deposition anneal) of evaporated metallic layers

Court terme contacts recuit

Activation arrow Four à haute température 2000°C
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Oxynitruration arrow Four à haute température LPCVD 1400°C
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Déposition TEOS arrow Four à haute température LPCVD 1350°C
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Oxydation thermique arrow Fours vertical 1200°C
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Recuit PDA (post deposition anneal) arrow Système RTP 1100°C
arrow
Recuit des Contacts arrow Système RTP 1000°C

Éléments de chauffage pour la fours Koyo

Koyo conçoit et fabrique ses propres éléments chauffants brevetés avec des propriétés spéciales. Commandé par augmentation de la température peut Koyo offrir les appareils de chauffage suite:

Éléments de chauffage


LGO Heizelement
LGO heater
120°C - 1150 °C


HGC Heizelement
HGC heater
400°C - 1250 °C


MoSi2 Heizelement
MoSi2 heater
up to 1400 °C


Karbon-Heizelelement
Carbon heater
up to 2000 °C


Photos Équipement

Nous pouvons offrir de petits équipements, chargé manuellement pour la recherche et le développement, ainsi que des machines entièrement automatiques, travaillant à partir de la cassette à cassette, pour la production de masse. Nous montrons ici quelques photos de systèmes de production.


Hochtemperaturofen für SiC F&E
High temperature furnace for SiC R&D


Hochtemperaturofen SiC Pilotproduktion
High temperature furnace for SiC Pilot Line


Hochtemperaturofen SiC Massenproduktion
High temperature furnace for SiC Mass Production


RTP-Anlage SiC F&E
RTP system for
SiC R&D


automatische SiC RTP-Anlage
Automatic SiC RTP
system

Nous sommes heureux de vous offrir un système adapté à votre application, éventuellement l'équipement déjà utilisé. Nous pouvons également faire des courses d'essai pour vous dans les différents centres de l'application de nos entreprises partenaires. S'il vous plaît contactez-nous!