Traitement thermique de carbure de silicium SiC dans des fours à haute température et des systèmes RTP.
Koyo Thermo Systems

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La production des circuits intégrés CI de carbure de silicium SiC

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur large bande ayant des propriétés particulières, qui permet un fonctionnement à haute température et est particulièrement adapté pour les semi-conducteurs de puissance. La commutation rapide et efficace de haute tensions et des courants, la tension de claquage élevée, bonne résistivité de rayonnement et une grande conductivité thermique sont les propriétés positives de carbure de silicium. Les inconvénients sont les coûts élevés et de la température élevée, qui sont nécessaires pour le traitement.
Très critique sont les procédés thermiques pour l'activation électrique des dopants de Al, B (p-dopage), N ou P(n-dopage). Les fours qui sont dédiés à la transformation de carbure de silicium doit être capable d'atteindre jusqu'à 2000°C, alors que pour la production des circuits de silicium ou GaAs températures jusqu'à 1200°C sont généralement suffisantes. Seulement récemment, des fours verticaux à l'aide de radiateurs chauffe MoSi
2 ou de graphite sont disponibles sur le marché.


Les procédés thermiques de SiC technologie

Ainsi que dans la production des circuits de silicium, la fabrication des circuits de SiC contient plusieurs étapes de traitement thermique:

L'activation des dopants après implantation ionique

Oxydation thermique avec de l'oxygène sec ou humide

Le dépôt LPCVD d'oxyde de TEOS (tétraéthoxysilane)

Dépôt de oxynitrure

PDA (post deposition anneal) of evaporated metallic layers

Court terme contacts recuit

Activation arrow Four à haute température 2000°C
arrow
Oxynitruration arrow Four à haute température LPCVD 1400°C
arrow
Déposition TEOS arrow Four à haute température LPCVD 1350°C
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Oxydation thermique arrow Fours vertical 1200°C
arrow
Recuit PDA (post deposition anneal) arrow Système RTP 1100°C
arrow
Recuit des Contacts arrow Système RTP 1000°C

Heizer für Koyo-Öfen

Koyo conçoit et fabrique ses propres éléments chauffants brevetés avec des propriétés spéciales. Commandé par augmentation de la température peut Koyo offrir les appareils de chauffage suite:

éléments chauffant LGO éléments chauffant HGC éléments chauffant MoSi2 éléments chauffant carbon
Éléments chauffant LGO Éléments chauffant HGC Éléments chauffant MoSi2 Éléments chauffant carbon
120°C - 1150°C 400°C - 1250°C jusqu'à 1400°C jusqu'à 2000°C

Photos Équipement

Nous pouvons offrir de petits équipements, chargé manuellement pour la recherche et le développement, ainsi que des machines entièrement automatiques, travaillant à partir de la cassette à cassette, pour la production de masse. Nous montrons ici quelques photos de systèmes de production.

Four à haute température pour SiC R&D Four à haute température pour SiC ligne pilote Four à haute température pour SiC production en série RTP système pour SiC R&D SiC RTP système automatic
Four à haute température pour SiC R&D Four à haute température pour SiC ligne pilote Four à haute température pour SiC production en série RTP système pour SiC R&D SiC RTP système automatic

Nous sommes heureux de vous offrir un système adapté à votre application, éventuellement l'équipement déjà utilisé. Nous pouvons également faire des courses d'essai pour vous dans les différents centres de l'application de nos entreprises partenaires. S'il vous plaît contactez-nous!

Crystec Technology Trading GmbH est à votre disposition pour vous aider dans la réalisation de vos projets.
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