VF5100: Hochautomatisierter Vertikalofen für große Chargen.
Der VF5100 ist ein hochautomatisierter Vertikalofen für mittlere bis große Produktionsmengen und wurde speziell für die effiziente Verarbeitung großer Waferchargen entwickelt. Als erstes von JTEKT (ehemals Koyo Thermo Systems) eingeführtes Vertikalofensystem mit Roboterumhordung setzt der VF5100 seit 1990 Maßstäbe in Zuverlässigkeit und Produktivität. Über Jahrzehnte kontinuierlich weiterentwickelt, gilt er heute weltweit als eines der beliebtesten Produktionsmodelle.
Mit der Fähigkeit, 4- bis 8-Zoll-Wafer in flexiblen Batchgrößen von 50 bis 150 Wafern zu verarbeiten, erfüllt der VF5100 die Anforderungen moderner Produktionslinien optimal. Bis zu 8 Kassetten können in einem robusten Drehteller-System bereitgestellt werden, das auf höchste Zuverlässigkeit und minimalen Wartungsbedarf ausgelegt ist. Die Beladung kann optional auch vollständig automatisiert über ein AGV-System erfolgen. Ein präziser Transfer-Roboter überführt fünf Wafer gleichzeitig in das Quarzboot und sorgt für schnellen, sauberen und schonenden Wafertransport.
Ausgestattet mit den patentierten LGO-Heizelementen sowie optional verfügbaren MoSi₂-Heizern unterstützt der VF5100 eine breite Palette thermischer Prozesse: von LPCVD-Verfahren (Si₃N₄, Polysilizium) über Oxidation und Diffusion bis hin zu Ultra-Hochtemperaturprozessen wie SiC-Gate-Oxynitridation oder Aktivierungs-Anneals. Eine stickstoffgespülte Load-Lock-Kammer verhindert natürliche Oxidation vor der Prozessierung, während eine SMIF-Version für besonders hohe Reinheitsanforderungen verfügbar ist. Der VF5100 bietet damit ein Höchstmaß an Flexibilität, Effizienz und Prozessqualität für anspruchsvolle Serienfertigungen im Leistungs- und Halbleiterbereich.
Vorteile
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Zuverlässiger Kassettenspeicher
Das robuste Drehteller-Kassetten-System arbeitet besonders zuverlässig und benötigt nur minimale Wartung. Bis zu 8 Kassetten können für große Produktionsvolumen bereitgestellt werden. -
Bewährtes Transfersystem
Ein hochpräziser Roboter transportiert die Wafer effizient und prozessschonend. Bis zu fünf Wafer werden gleichzeitig in das Quarzboot überführt – ideal für schnelle, stabile Produktionsabläufe. -
N₂-Load-Lock für höchste Reinheit
Der VF5100 war das erste System von JTEKT mit gasdichter, stickstoffgespülter Beladezone. Diese verhindert natürliche Oxidation der Wafer und sorgt für beste Ausgangsbedingungen vor der thermischen Prozessierung. -
Flexible Prozessunterstützung
Mit wählbaren Heizern (LGO, MoSi₂ oder Carbon) unterstützt der VF5100 Low-Temperature-Annealing, LPCVD (Si₃N₄, Polysilizium), Oxidation, Diffusion und anspruchsvolle Ultra-Hochtemperaturprozesse. -
Große Chargenkapazität
Batchgrößen können flexibel zwischen 50 und 150 Wafern gewählt werden, was den VF5100 ideal für mittelgroße Pilotabläufe bis hin zu vollwertigen Produktionslinien macht. -
Hohe Automatisierung & AGV-Kompatibilität
Kassetten können manuell oder automatisch über AGV-Systeme beladen werden. Dies ermöglicht eine nahtlose Integration in automatisierte Produktionslinien. -
Effiziente Installation
Mehrere VF5100-Systeme können Seite an Seite ohne Zwischenräume installiert werden, ideal für Produktionsbereiche mit hohem Durchsatzbedarf und begrenzter Fläche.
| Technische Merkmale | Produktdaten |
|---|---|
| Außenmaße | W900 × D1850 × H2930 mm (100 Wafer) W1000 × D1950 × H3300 mm (150 Wafer) |
| Wafergrößen | 4 bis 8 Zoll |
| Batchgröße / Landungsmenge | 50-150 Wafer |
| Kassettenspeicher | 8 Kassetten |
| Prozesskassetten | 6 |
| Finger / Wafer Transfer | 5 Wafer + Single Wafer Handling vacuum / vacuumless |
| Beladung | Automatisch mit Roboterumhordung |
| Heiztechnologie | LGO-Heizelemente, MoSi₂-Heizer |
| Max. Arbeitstemperatur | 1150 °C (LGO) 1400 °C (MoSi₂-Heizer) |
| Temperatursteuerung | 4 Zonen |
| Flachzonenlänge | 960 mm |
| Zertifizierung | CE |
| HOST communication | optional |
| SECS-Kompatibilität | optional |
| AGV-Kompatibilität | optional |
| SMIF/FOUP-Kompatibilität | optional |
| Optionen | Forced Cooling, N₂ Load-Lock, Thin Wafer Handling, Konvertierbare Wafergrößen |
| Typ / Label | Pyro.Ox Thick film |
Pyro.Ox Thin film |
P‑D‑Poly | Poly‑Si | HTO | Si3N4 | TEOS | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Reaktionsgas | O2/H2 | O2/H2 | SiH4/PH3/H2 | SiH4 | SiH2Cl2/N2O | SiH2Cl2/NH3 | Si(C2H5O)4/O2 | ||
| Wachstumstemp. (C°) | 1000 - 1250 | 800 - 1000 | 550 - 600 | 600 - 620 | 870 - 890 | 770 - 800 | 750 | ||
| Wachstumsrate (A/min) | - | - | 12 - 20 | 60 - 100 | 40 - 50 | 20 - 50 | 100 | ||
| Waferanzahl (sheet) | 150 | 150 | 25 | 100 | 100 | 100 | 50/100 | ||
| Innerer Wafer | 2 | 2 | 3 | 2 | 3 | 3 | 4 | 3 | |
| Dichtigskeits-variation(%) | Wafer im Zwischenraum | 2 | 2 | 2 | 2 | 3 | 2 | 3 | 2 |
| Ladung im Zwischenraum | 2 | 2 | 2 | 1 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
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