Газоочиститель: сочетание теплового деления и промывки.
SemiAn

SemiAn Technology представлена в Европе:
Crystec Technology Trading GmbH

Crystec
Inhalt ccd E-Mail English   deutsch   français   русский   español
SemiAn Korea   Фирма   Скруббер   Горение+влажность   плазма   Катализатор

Удаление ядовитых веществ сочетанием сжигания и промывки.

Этот вид газоочистительных систем состоит из многих частей. На первой ступени скруббером удаляются растворимые и коррозионные газы для защиты последующей обработки горением. SWB-серия имеет эту функцию, SBW-серия нет. Инсталляция такого скруббера имеет смысл всегда, когда газо-/ воздухоотходы содержат сильно коррозиoные галогеноводороды как HCl или HBr или когда отработанный газ содержит металлогалогениды, как вольфрамгексафторид WF6. Вторая очистительная ступень - это значительная составляющая скуббера: электрически нагреваемая камера сгорания, в которой осуществляется термическое разложение неводорастворимых газоотходов. Газоотходы нагреваются и кислород добавляется для окисления имеющихся ядовитых веществ. На этом этапе очень важно распределение температуры. Она должна достичь некоторой минимальной величины для удалеnия всех токсичных компонентов. Во время разложения этих веществ обычно образуется много пыли. Иногда при этом снова высвобождаются водорастворимые и коррозионные газы. Эта пыль должна быть удалена на последующих ступенях.   После сепаратора газоотходы поступают во второй промыватель. Вода поступает через циркуляционный бак, который опционально можно охлаждать. Остающаяся после этой ступени влага будет удалена в осушителе.

Abgasreinigung mit Verbrennung und Wäscher

SemiAn предлагает множество различных типов горяче-мокрых скубберов, которые перечислены в таблице ниже. Все наиболее существенные составляющие части изготовлены из легированной стали, сам реактор - из инконеля и циркулярный насос имеет тефлоновое покрытие. В реакторе предусмотрен нагреватель, который может быть приспособлен к требованиям заказчика. Очищается он автоматически. Управление осуществляется при помощи PLC и через контроль мощности нагрева. Обслуживание и визуальное отображение информации осуществляется TFT монитором. Опционально может содержаться также устройство управления, на котором отображается состояние всех связанных газоочистителей. Инсталлировано множество функций обеспечения надежности, смычек, систем обнаружения утечек. Опорная поверхность установок минимизируется для поддержания производственных затрат на минимальном уровне.

Обзор типов горяче- мокрых газоочистителей

SemiAn предлагает газоочистители со сгоранием и промывкой, разработанные для очистки технологического оборудования от отработанных газов, применяемые, среди прочих, в полупроводниковой промышленности и изготовлении дисплеев на жидких кристаллах. Соответственно рассчитаны наши газоочистители на газопотоки ~ 100 - 1.200 slm / 6 - 72 m3/h. Однако, мы охотно поставляем промывaтели этого класса для других применений, - надежно и выгодно.
Abgasreiniger SBW200 Entgifter SWB200 Abgasentgifter SBW201

SBW200

SWB200

SBW201


SBW 100 / SBW 200 (SemiAn горение - влага)

Газоочиститель для термического разложения и окисления ядовитых компонентов в соединении со скруббером для отделения растворимых компонентов выхлопных газов и системой циркуляции воды. Этот тип установок можно применять для очистки выхлопных газов из ионоимплантаторов, PE-CVD, LP-CVD,  и AP-CVD установок, а также для выхлопных газов из MO-CVD реакторов (оптоэлектроника).

SWB 200 (SemiAn wet - burn - wet)

Газоочиститель с входным очищением для термического разложения и окисления ядовитых компонентов. Очищение осуществляется за три этапа: выщелачивание растворимых компонентов выхлопных газов, пирофорное разложение токсичных или горючих компонентов, последующая очистка скруббером и системой циркуляции воды. Этот тип установок можно применять для очистки выхлопных газов из PE-CVD (полупроводники и LCD-производство), LP-CVD,  и AP-CVD установок, а также для выхлопных газов из MO-CVD реакторов (оптоэлектроника).

SBW 201 / SBW 202

Варианты бо'льших газоочистителей, состоящих из множества параллельных термических разлагающих составляющих для окисления ядовитых компонентов и последующей влажной очистки. Очищение осуществляется за два этапа:  пирофорное разложение токсичных или горючих компонентов, последующая очистка скруббером и системой циркуляции воды. Этот тип установок предпочтительно применять для очистки выхлопных газов в LCD-производстве для PE-CVD, для выхлопных газов из MO-CVD реакторов в оптоэлектронике, а также для выхлопных газов из эпитаксиреакторов.

Данные измерений

С помощью этого метода из отработанных газов могут быть удалены нижеприведенные химические соединения. В таблице дается максимальная входная и минимальная выходная концентрация ядовитых веществ, а также их TLV-значения; (предельные значения). Описывается реакция, происходящая в реакторе. В скруббере удаляются образующиеся при окислении растворимые газы - такие, как HF или HCl. Образующийся газоообразный хлор преобразуется в скруббере в соляную кислоту HCl и хлорноватистую кислоту..
газ макс. входная концентрация
в ppm
мин. выходная концентрация
в ppm
TLV
в ppm
эффективность
в %
Химическая реакция в горелке
AsH3 5,000 0.01 0.05 >99.99 2 AsH3 + 3 O2PfeilAs2O3+ 3 H2O
B2H6 2,500 0.01 0.1 >99.99 B2H6 + 3 O2PfeilB2O3+ 3 H2O
C2F6 50,000 1200 n.a. 97.60 C2F6 + 2 O2+ 3 H2Pfeil2 CO2 + 6 HF
Cl2 10,000 1 1 99.99 stable
GeH4 4,000 0.02 0.2 >99.98 GeH4 + 2 O2PfeilGeO2 + 2 H2O
H2 125,000 0.5 5 >99.99 2 H2 + O2Pfeil2 H2O
HCl 3,000 1 5 99.97 stable
NF3 50,000 5 10 99.99 4 NF3 + 3 O2Pfeil2 N2+ 6 OF2
NH3 10,000 5 25 99.95 4NH3 + 3 O2Pfeil2 N2+ 6 H2O
PH3 6,000 0.01 0.3 >99.99 2 PH3+ 4 O2PfeilP2O5+ 3 H2O
SF6 5,000 75 1,000 98.50 SF6 + O2 + 3 H2PfeilSO2 + 6 HF
SiF4 4,000 1 n.a. 99.98 SiF4 + O2PfeilSiO2 + 2 F2
SiH2Cl2 1,000 1 5 99.90 2 SiH2Cl2+ 3 O2Pfeil2 SiO2 + 2 H2O + 2 Cl2
SiH4 16,000 0.5 5 >99.99 SiH4 + 2 O2PfeilSiO2 + 2 H2O

Рекомендационный список газоочистителей

В нижестоящем списке перечислены обычные процессы в полупроводниковой промышленности, где необходимы газоочистители. Установки сухого травления поставляются, например, фирмами Applied Materials или Lam Research. Обычыми слоями, подлежащими травлению, являются металлопленки, поликремниевые пленки, нитридные, оксидные и вольфрамовые пленки. PECVD применяются при изготовлении специальных слоев при низких температурах как кислородных, PSG и BPSG как и вольфрамовых слоев. В настоящее время LPCVD обычно осуществляется в вертикальных печах, например от Fa. Koyo Thermo Systems. Очищение от нитридов, поликремния и TEOS являются типичными процессами в этой области. Ионоимплантаторы также выделяют токсичные газоотходы, которые необходимо расщеплять. MOCVD применяются в основном при производстве полупроводниковых соединений. Одним из наиболее известных поставщиков этих установок является Fa. Aixtron.
В некоторых случаях необходимо прибегать к специальным мероприятиям по предотвращению пылевого засорения реактора.
Альтернативными газоочистительными методами являются мокрая очистка и хемисорбция. Обзор всех очистительных систем Вы найдете на нашей SemiAn странице очистительных систем.
Процесс Типовой газ Рекомендуемый тип газоочистителя
Сухое травление Металл Cl2, BCl3, SiCl4, CHF3, CF4, SF6 SSD или SWB

поликремний HBr, Cl2, NF3, SF6 SSD или SWB

Нитрид HBr, CF4, SF6 SSD или SWB

W, Al Оксид Cl2, SF6, CHF3, CF4, NF3 SSD или SWB
PECVD BPSG TEOS, TMP, TMB, N2O, SIH4, B2H6, PH3, C2F6/NF3 SBW

PSG SiH4, PH3, N2O, TEOS, TMP, C2F6/NF3 SBW

Оксид/Нитрид SiH4, NH3, N2O, C2F6/NF3 SBW

Вольфрам WF6, NF3, SiH4 SBW
LPCVD Нитрид DCS, NH3 SBW

poly-Silicium SiH4 SBW

(легированный) TEOS TEOS, PH3 SBW
ионоимплантатор B2H6, BF3, PH3, AsH3, Ar SSD или SBW
MOCVD GaAs H2, AsH3, MO источник SBW

InP H2, PH3, AsH3, MO источник SBW

GaN H2, NH3, MO источник SBW
Crystec Technology Trading GmbH будет рада обсудить с вами дальнейшие детали.
СодержаниеСодержание-
страницы
E-Mail Вас интересует дальнейшая информация?
Пожалуйста, свяжитесь с нами!
Начало страницыНачало
страницы