Elektronenstahl-Bedampfer zur Abscheidung von Metall- und TCO-Schichten.
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Anlagen für die Halbleiter- und LCD-Industrie

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Elektronenstrahlbedampfung

Bedampfungsanlagen oder Bedampfer werden zum Aufbringen und Abscheidung von leitenden Schichten, Metallen oder transparenten, leitenden Oxiden auf Halbleiter- oder Glassubstraten eingesetzt. Das Verfahren der Elektronenstrahlverdampfung gehört zu den PVT-Methoden (physical vapour deposition), da die Erzeugung der Schichten rein physikalisch erfolgt, im Gegensatz zu den CVT-Verfahren (chemical vapour deposition), zu denen die PECVD-Methode (plasma enhanced chemical vapour deposition) und die LPCVD-Methode (low pressure chemical vapour deposition) gehören.
Das aufzudampfende Material wird in Form eines Targets in eine Vakuumkammer eingebracht. Im Gegensatz zum Sputtern, bei dem die Verdampfung des Materials durch Ionenbeschuss aus einem Plasma erfolgt, findet die Verdampfung hier durch Beschuss mit einem Elektronenstrahl (E-Beam), der auf das Target gerichtet ist, statt. Die Elektronenquelle kann dabei neben oder unter dem Target montiert sein. Der Elektronenstrahl wird magnetisch umgelenkt und auf das Target gerichtet. Die zu beschichtenden Substrate befinden sich über dem Target in der Vakuumkammer.

Elektronenstrahlbedampfer

Elektronenstrahlbedampfer

SNTEK fertigt Elektronenstrahl-Bedampfer bzw. Verdampfer in verschiedenen Ausführungen, für Forschung und Entwicklung ebenso wie für die Massenproduktion. Für die Fertigung von LEDs müssen kleine III/V-Wafer mit Indiumzinnoxid ITO beschichtet werden. Eine entsprechende Massenproduktionsanlage setzt hierfür einen aus 4 schüsselförmigen Käfigen bestehenden Substratträger ein, der während des Bedampfungsprozesses rotiert. Er kann 4 x 27 = 108 2"-Wafer aufnehmen. Die Elektronenstrahlquelle hat einen Drehteller, der den automatischen Wechsel von bis zu 6 Targets erlaubt.

Elektronenstrahlbedampfer (Metall oder ITO) Elektronenstrahlverdampfer für 8" Si-Wafer
Elektronenstrahlbedampfer (Metall oder ITO) Elektronenstrahlverdampfer für 8" Si-Wafer
Dom-Typ bzw. Planetentyp
Beladekapazität : ITO, 108 2"Wafer
Beladekapazität : Metall, 76 2"wafer
Verdampfungsquelle : Elektronenstrahl
ITO Temperatur : 300°C (Wafer)
Prozessdauer : 40min (Mo 3000 A)
Substratgröße : ~ 8 Zoll
Abscheiderichtung : aufwärts
Elektronenquelle : ~ 15kW
Gleichmäßigkeit Filmdicke : ±4%
Temperaturgleichmäßigkeit : ±3%
Vollautomatische Steuerung

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