Évaporateurs à faisceaux d'électrons
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Évaporateurs à faisceaux d'électrons

Évaporateurs à faisceaux d'électrons sont utilisés pour le dépôt des couches métalliques ou d'oxyde transparente et conductrice, sur des substrats semi-conducteurs et sur le verre. Ce processus est une methode PVT (Physical Vapor Deposition), parce que le dépôt est causée seulement par des procédés physiques, contrairement aux processus CVT (dépôt chimique en phase vapeur) à laquelle appartiennent PECVD (de dépôt en phase vapeur activé par plasma) et LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur basse pression). Le matériau qui doit être déposée sur le substrat est introduit par une cible de pulvérisation dans une chambre à vide. En contraire à la pulvérisation cathodique, l'évaporation de la matière de la cible n'est pas réalisée par bombardement ionique à partir d'un plasma, mais par l'évaporation d'un faisceau d'électrons, dirigés vers la cible. La source d'électrons peut être positionné à côté ou au-dessous de la cible afin de gagner de l'espace. Le faisceau d'électrons est redirigé par la force magnétique. Les substrats pour le dépôt sont positionnés au-dessus de la cible dans la chambre à vide.

e-beam evaporator

Systèmes d'évaporateur à faisceaux d'électrons

SNTEK fabrique différentes versions de l'e-faisceau évaporateurs pour la recherche et développement et aussi pour la production de masse. Pour la production de LED, il est nécessaire de traiter de nombreuses petites plaquettes semi-conductrices III/V avec oxide indium et d'étain ITO. Pour la production de masse un support de type planétaire constitué de 4 transporteurs bol est utilisé. Il est en rotation pendant le processus. Il a une capacité de 4 x 27 = 108 2"-plaquettes. La source d'électrons comporte un support revolver, qui permet le changement automatique de jusqu'à 6 cibles.

E-Beam Evaporator (Metal or ITO) E-Beam Evaporator System for 8" Si-Wafer
E-Beam Evaporator (Metal or ITO) E-Beam Evaporator System
Dome Type : Lift off Type, Planetary Type
Loading Capacity : ITO 2"wafer 108ea
Loading Capacity : Metal 2"wafer 76ea
Evaporator Source : E-Beam (4 ~ 6 pockets 40cc)
ITO Heating Temp. : 300°C on wafer
1 Batch Run Time : 40min (Mo 3000 A)
Substrate Size : ~ 8inch
Etching Direction :Upwards
E-Beam source : ~ 15kW
Film Thickness Uniformity : ±4%
Heating Uniformity : ±3%
Full Automation control

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