PECVD-Anlage zur Abscheidung von Graphen, kombinierbar mit Plasma-Vorreinigung und Metall-Sputtern
Crystec

Crystec Technology Trading GmbH
Anlagen für die Halbleiter- und LCD-Industrie

Crystec
Inhalt ccd E-Mail English   deutsch   français
Plasma   Plasmaätzer   Verascher   Fehleranalyse   PECVD   Si3N4   Si02   Endpunkt   Graphen   E-Beam   Sputter

Graphen

Graphen besteht aus einer einzelnen oder wenigen Graphitschichten und besitzt daher eine zweidimensionale Struktur. Graphen besteht aus Kohlenstoffatomen, die in einer Ebene in einer Honigwabenstruktur angeordnet sind. Graphit besteht aus vielen Stapeln von Graphen-Schichten. Diese Graphen-Schichten leiten elektrischen Strom ebenso wie Graphit und können daher für die Herstellung von elektrischen Schaltkreisen und Transistoren eingesetzt werden. 2D-Graphenschichten weisen jedoch einige elektrische Besonderheiten auf; Valenz- und Leitfähigkeitsband überlappen nicht, weisen jedoch auch keinen Bandabstand auf und die Ladungsträgerbeweglichkeit ist sehr hoch. Sind die Graphenschichten nicht planar angeordnet, sondern zu Röhrchen aufgerollt, spricht man von Carbonanotubes CNT. Es gibt auch kugelförmige Anordungen, die Fullerene heissen. Sie können für die Erzeugung von Quantum Dot Strukturen eingesetzt werden. Der Einsatz von Graphen ermöglicht die weitere Verkleinerung von integrierten Schaltungen (ICs) sowie die Herstellung von biokompatiblen Bauelementen für in-vivo-Anwendungen.

Graphen

Plasma-Anlagen für die Herstellung von Graphen

Die Abscheidung erfolgt mit speziellen Plasmaanlagen (PECVD). Als Kohlenstoffquelle dienen gasförmige Kohlenwasserstoffe, oft Methan CH4. Die Graphen-Abscheidung durch PECVD kann auch mit Anlagen zur Vorreinigung und zum Sputtern kombiniert werden können. Neben Einzelanlagen sind auch Clusteranlagen verfügbar, die eine ganze Reihe von Prozessen in einer Anlage ausführen können: Schleuse zur Beladung > Vorreinigung (O2, Ar) > Oberflächenreinigung > Sputtern (Ni, Cu) > ICP-CVD (Graphen)

ICP-CVD for Graphene Graphene Cluster
Graphen Plasmaanlage ICP-CVD
und Metallsputter-System
Schleuse
Vorreinigungskammer
Substratheizung : max. 700°C
Graphen Vakuumcluster
Schleuse zur Be- und Entladung
Vorreinigung mit Plasma
Sputterkammer zur Aufbringung von Ni und Cu
ICP-CVD : Graphen-CVD Prozesskammer
ICP-CVD Anlagen für Graphen
Plasmaanlagen der Fa. SNTEK

Inhalt ccd E-Mail Crystec Technology Trading GmbH
✉ 84503 Altötting, Zinngießerstr. 7, Deutschland, ✆ +49 8671 882173
Anfahrt ltd Seitenanfang